高密度舌簧继电器

Pickering Electronics是生产用于高密度应用的舌簧继电器的领导厂商，您可以在PCB上多安装多达80%的继电器。这些高密度的舌簧继电器能切换最高1A，20W的信号，提供单列直插（SIL/SIP）、表面贴装等流行的封装形式。

120系列 — 最高1 A、20 W，4mm x 4mm x 15.5mm

目前封装密度最高的舌簧继电器。1个A型(SPST常开)继电器，提供3、5 或 12 V几种线圈电压选择。
自动测试设备(ATE)矩阵或多路复用开关的理想选择。   

这些继电器仅占用4mmx4mm的面积，可实现目前
最高的封装密度。

有两种开关类型可供选择：
通用溅射钌开关
   ·  额定功率15W、额定电流1A(3V) 
   ·  额定功率20W、额定电流1A（5V和12 V）
低电平溅射钌开关
   ·  额定功率10W、额定电流0.5A

116系列 — Mini-V-SIL 高达 10 W

非常高封装密度的继电器，开关电流高达 0.5 A。1个A型 (SPST) 或 2个A型 (DPST) 3、5 或 12 V 线圈。 100% 测试动态接触电阻。

具有溅射钌触点的最高品质仪表级开关使其成为低电平或“冷”开关应用的理想选择。 1 个 A 型的产品最小占用 0.15” x 0.27” 面积。 2 个 A 型的产品最小占用 0.15” x 0.40”面积。 采用3、5 或 12 V 线圈。

115系列 — Mini-V-SIL 最高1A，20W

1 个A型 (SPST) 或 2个A型 (DPST) 常开继电器 – SPST的产品最小占用 0.15” x 0.27” 面积。 采用3、5 或 12 V 线圈。具有溅射钌触点，使用寿命长，可靠性高。

提供两种开关类型 – 开关类型 1 更适合通用应用。它在钌下方有一层铜衬底，有助于散发触点区域的热量。这提高了浪涌电流处理能力。而对于低电平或“冷”开关应用，应选择开关类型 2。

122系列 — 最高 0.5 A、10 W， 4mm x 4mm x 12.5mm 

超高封装密度 1 个A 型 (SPST 常开) 继电器，可选 3 或 5 V 线圈。快速吸合和释放，时间通常为 150 μs 或更短，使这些继电器成为高速测试系统的理想选择。

122 系列占用的 PCB 尺寸仅为 4mm x 4mm，可实现目前最高的封装密度。 122 系列继电器高度为 12.5 毫米，采用溅射钌仪表级簧片开关。是 ATE 开关矩阵或多路复用器的理想选择。

124系列 — 最高0.5A，10W，4mm x 4mm x 9.5mm

现有最小的通孔舌簧继电器。 1 个带有 3 或 5 V 线圈的A 型继电器。拥有非常快的吸合和释放时间，时间通常为 80 μs；使这些继电器成为高速测试系统的理想选择。

以 4 mm x 4 mm 间距排列，高度为 9.5mm；使它们成为 Pickering 提供的最小的簧片继电器 – 可以使您节省成本和空间。绝缘电阻>10^12Ω。该继电器采用溅射钌仪表级簧片开关。 是 ATE 开关矩阵或多路复用器的理想选择。

125系列 —  最高1A，20W，5mm² x 15.5mm

目前可用的最小的双刀舌簧继电器。2 Form A（单刀单掷常开）继电器，线圈电压为3伏、5伏或12伏。非常适合高密度应用，如自动测试设备（ATE）切换矩阵或多路复用开关。
这些继电器只需要5毫米x 5毫米的电路板面积，允许在双刀继电器中实现目前最高的封装密度。尽管它们体积小，125系列还是提供了可选的二极管。全穆金属封装使得继电器可以并排堆叠，且仅有1%的典型磁性干扰，而未屏蔽的继电器则有40%的磁性干扰。

200 系列 — SMD 高达 20W + RF 5GHz

表面贴装舌簧继电器具有多种开关配置， 1 个 A 型、2 个 A 型、1 个 B 型和 1 个 C 型，包括频率高达 5 GHz 的同轴类型。 采用3、5 或 12 V 线圈。

对于 RF.或高速数字应用，50 或 75 欧姆同轴器件采用相同的小型封装。特殊的高温塑料封装可承受红外或气相回流焊接工艺的温度。内部高导磁合金屏蔽允许器件并排排列，保持正确的磁场状态。

117系列 — Mini-V-SIL，功率高达 10 W

1 个A 型 (SPST) 或 2 个A 型 (DPST) 舌簧继电器。可选 3 或 5 V 线圈，带有可选的内部续流二极管。高密度集成应用的理想选择。

Pickering 117系列是一组单列直插式继电器，适用于 ATE. 等极高密度应用。开关矩阵或多路复用器以及大多数仪器应用。如果需要更高的额定值，可以考虑额定功率高达 20 W、1.0 A 的 115 系列。

113 系列 — 10 W（A 型） 3 W（C 型）+ RF

A 型、A 型同轴和 C 型舌簧继电器。采用 3、5 和 12 V 线圈，带可选二极管。包括高达 3 GHz 的高频类型。最小占用 0.15 ” x 0.5”面积。

A 型版本具有溅射钌触点，非常适合自动测试设备。 C 型版本是市场上最小的双掷舌簧继电器。 RF 类型非常适合需要低 RF 损耗和低插入损耗的数字开关系统。1个A型、5 V 版本的线圈电阻为 500 Ω，可以直接由 TTL 逻辑驱动。

112 系列 — SIP 单A型 10 W，0.5 A

非常适合卡型高密度系统，例如 VME、VXI、Compact PCI、PXI 和自动测试设备。 采用3、5 或 12 V 线圈，带有可选的内部二极管。

最高品质的溅射钌仪表级簧片开关。开关电流高达 0.5 A、10 W。5 伏线圈版本的电阻为 500 欧姆，可直接由 TTL 逻辑驱动。绝缘电阻>10^12Ω。该继电器具有内部高导磁合金屏蔽，可消除磁相互作用问题的风险。

111系列 — 10 W + RF 高达 2.5 GHz

3 或 5 V 线圈。两种封装类型——高导磁合金封装或带有内部高导磁合金磁屏蔽的塑料封装。包括适用于高达 2.5 GHz 的 50 Ω 同轴器件。

最小占地面积 0.15” x 0.40”。绝缘电阻>1012Ω。采用最高品质的仪器级舌簧开关。它们的占地面积与 110 和 112 系列相同，但高度仅为 0.26 英寸（6.6 毫米）。 100% 测试动态接触电阻。

110 系列 — V-SIP 单A 型 20 W

1 个 A 型舌簧继电器，最小占地面积 0.15” x 0.40”。采用 3、5 或 12 V 线圈。有两种类型可供选择，一种是通用版本，另一种是适合低电平或“冷”开关应用的类型。

500 Ω 的 5 V 线圈可直接由 TTL 逻辑驱动。该系列的开关在封装内垂直安装，这使得实现相同的开关功能可以占用更小的面积。内部高导磁合金屏蔽消除了邻近器件磁场相互干扰的风险。

109系列 — 20W + RF最高2GHz

开关电流高达 1 A、20 W。舌簧继电器可以选择 1 个 A 型、2 个 A 型、1 个 B 型、1 个 C 型（转换）或 1 个 A 型同轴 50 或 75 Ω。 采用3、5 或 12 V 线圈。

是 ATE开关矩阵等高密度应用的理想选择。高导磁合金封装系列 109 和 109RF 以及塑料封装系列 109P 是磁屏蔽单列直插舌簧继电器，最小占地面积 0.15″ x 0.6″。最高品质的仪器级开关。 

108 系列 — 200 V 时功率高达 20 W

提供 1 个A型 (SPST) 和 2 个A型 (DPST)，额定功率为 20 W、200 V。1 个C型（转换），额定功率为 3 W、200 V。采用3、5 或 12V 线圈。高端仪器仪表应用的理想选择。

封装在高导磁合金屏蔽层中农，以 0.15 英寸（3.8 毫米）间距堆叠。 5 V 线圈为 500 Ω，可以直接由 TTL 逻辑驱动。绝缘电阻>10^12Ω，接触电阻稳定性极佳。 A 型器件的绝缘电阻大于 10^12 欧姆 (1T欧姆)。